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欧宝ob官网:常用电力电子器件道理及拔取ppt

 发布时间:2022-03-16 18:55:49 来源:OB欧宝体育 作者:ob欧宝体育pp下载

  第二章常用电力电子器件道理及抉择 [教学宗旨与恳求]: 明了变频器中应用的功率半导体器件的品种 职掌各种半导体器件的机合和办事道理 明了它们的利用特性 [本章要点]: 1.各种半导体器件的办事特性 2.智能电力模块的机合与办事特性 2.1 变频器的主电道机合 变频器输出电道-三相逆变器的办事历程 逆变器中的要害题目——换流 杀青举措——电力电子器件 基础恳求:也许担当足够大的电压和电流 应许屡次地开合,且限造便利 2.2 常用的电力电子器件 SCR——可控硅(晶闸管) GT0——门极可合断晶闸管 GTR——大功率晶体管 IGBT——绝缘栅双极型晶体管 IGCT——集成门极换流晶闸管 MOSFET——金属氧化物场效应管 SIT——静电觉得晶体管 SITH——静电觉得晶闸管 MCT——限造晶闸管 IPM——智能电力模块 一、晶闸管 1.通常晶闸管 电道1.串联电感式电压型逆变器 L——换流电感 C——换流电容 VD——回馈二 极管 R——换流衰减 电阻 VT——主晶闸管 电道2.带辅帮晶闸管换流的电压型逆变器 VT1’一VT6’---辅帮晶闸管 CA~CC---换流电容器 L1~L6---换流电感 LA~LC---di/dt抑止电感 2.门极可合断晶闸管(GTO) 门极可合断晶闸管(GTO)拥有遍及晶闸管(SCR)的统统甜头,如耐压高,电流大,限造功率幼等。但它拥有自合断本领,属于全控器件。GT0的表形和SCR相似,内部也是四层三端器件;但创造工艺和SCR区别,所以拥有圆活度较高的自合断本领。 谬误:开合频率不高,一正在2 kHz以下。 二、功率晶体管(GTR) 三、功率场效应管 功率场效应晶体管的办事特性 ①限造便利,驱动电道容易。 ②自合断本领强,所以开合频率高(≤20 MHz)。 ③输入阻抗极高,可能用TTL器件或CMOS器件直接驱动。 (a)直接驱动 (b)变压器间隔驱动 (c)光间隔驱动 四、绝缘栅双极晶体管(IGBT) 机合:由场效应晶体管(MOSFET)和功率晶体管(GTR)模块组合而成 办事特性——与场效应晶体管类同,属于电压限造型 ①输入阻抗高,开合速率速(开合频率高≤20 kHz; ②电流波形对照腻滑,电动机基础无电磁噪声,电动机的转矩增大; ③驱动电道容易,曾经集成化。 五、集成门极换流晶闸管(IGCT) 集成门极换流晶闸管(IGCT)将门极驱动电道与门极换流晶闸管(GCT)集成于一体,门极换流晶闸管(GCT)是正在可合断晶闸管(GTO)的根底上开垦出来的一种新的电力半号器件。 六、 MOS限造晶闸管 MOS限造晶闸管(MCT)是将MOSFET与晶闸管复合而取得的器件 七、电力半导体器件的利用特性 名称 文字符号 限造格式 最高电压、电流及开合频率 晶闸管 TH(SCR) 电流 最高电压l 000~4000 V 最大电流l 000~3000 A 最高频率l~10 kHz 功率晶体管 GTR 电流 最高电压450~1400 V 最大电流30~800 A 最高频率l0~50 kHz 电力场效应管 MOSFET 电压 最高电压50~1000 V 最大电流l00~200 A 最高频率500 kHz~200 MHz 绝缘栅双极晶体管 IGBT 电压 最高电压l 800~3300 V 最大电流800~1200 A 最高频率l0~50 kHz 集成门极换流晶闸管 IGCr 电压 最高电压4500~6000 V 最大电流4000~6000 A 最高频率20~50 kHz MOS限造晶闸管 MCT 电压 最高电压450~3300V 最大电流400~1200 A 最高频率l00 kHz~1 MHz 八、智能电力模块(IPM) 智能电力模块(IPM)是将用于逆变的半导体器件(目前,多用IGBT)和其配套的驱动电道、扞卫电道、检测电道以及某些接口电道集成正在一块的电道模块,是电力集成电道PIC的一种。智能电力模块中含过电流、短道、欠压和过热等扞卫电道。这些扞卫电道起功用时,输出窒碍信号,并处于合断状况。

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