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欧宝ob官网:浅谈功率电子器件的用处及操纵

 发布时间:2022-03-16 18:56:31 来源:OB欧宝体育 作者:ob欧宝体育pp下载

  电力电子手艺的中枢是电能的变换与操纵,常见的有逆变(即直流转交换)、整流(即交换转直流)、变频、变相当。正在工程中拓开展来,行使周围至极寻常。但瞬息万变离不开其中枢——功率电子器件。

  功率电子器件可分为不控器件、半控器件、全控器件。其用处及行使作以下简明简略的先容。

  不行通过操纵信号操纵其通断的电力电子器件。规范器件如二极管,首要行使于低频整流电途。

  通过操纵信号可能操纵其导通而不行操纵其闭断的电力电子器件。规范器件如晶闸管,又称可控硅,寻常行使于可控整流、交换调压、无触点电子开闭、逆变及变频等电途中,行使场景多为低频。

  通过操纵信号既可操纵导通,又可操纵其闭断的电力电子器件。规范器件如GTO(门极可闭断晶闸管)、GTR(电力晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管),行使周围最广,寻常行使于工业、汽车、轨道牵引、家电等各个周围。

  闭于以上这几种全控器件,个中GTO是晶闸管的派生器件,首要行使正在兆瓦级以上的大功率园地。

  GTR属于电流操纵功率器件,且电途符号和一般的三极管同等。20世纪80年代往后正在中幼功率畛域内渐渐代替GTO。GTR特质明显,耐高压、大电流、饱和压下降是其首要所长,然则污点也很分明,如驱动电流较大、耐浪涌电流才华差、易受二次击穿而损坏,驱动电流大直接决计其不适合高频周围的行使。

  MOSFET与GTR最为明显的区别即是电场操纵。其特点是输入阻抗大、驱动功率幼、开闭速率疾、就业频率高,那MOS是不是完备填充了GTR的缺陷?能不行统统替换GTR呢?谜底当然是不行。MOS规范参数是导通阻抗,直观领悟为耐压做的越大,芯片越厚,导通电阻越大,电流才华就会下降,是以不行两全高压和大电流就成了MOS的短板。

  接下来就要额表讲讲IGBT了。IGBT是以双极型晶体管为主导元件,以MOS为驱动元件的达林顿组织。其特质是不光损耗幼、耐高压、电流密度大、通态电压低、安笑就业区域宽、耐冲锋,况且开闭频率高、易并联、所需驱动功率幼、驱动电途纯洁、输入阻抗大、热牢固性好。IGBT的行使周围正赶疾夸大,渐渐代替GTR、MOSFET的市集。

  备注:本文仅作练习参考,不代表对该概念显露援帮或附和,如实质上存正在争议,请实时与咱们闭联,感谢!返回搜狐,查看更多

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