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欧宝ob官网:浅说进步功率消沉功耗的几种手法

 发布时间:2022-05-03 04:42:46 来源:OB欧宝体育 作者:ob欧宝体育pp下载

  不只能以大大的俭省电能还能简化电源部门的安排,乃至可能用于手持兴办上面应用,这些都一经越来越成为他日产物的安排偏向。

  一滥觞选型的时刻就该当商量采用低功耗MCU,例如MSP430一类的为低功耗安排的CPU。猛烈不提议应用51,一方面是由于51速率慢,许多运算用51都需求很高的主频而主频高了就意味着高的功耗;其它一方面是由于51的IO有上拉电阻。固然当IO为高电泛泛上拉电阻不费电,不过下拉电流的时刻却有不幼的功耗出现。

  很显著消重器件的用电电压可以显著的消重器件的耗电。例如说ATmega8和ATmega88,固然芯片大致内部机合相似不事后者可能使命正在1.8V的超低电压下而前者就不成,归纳商量下当然仍然采用后者。

  多人都领会CMOS电道的使命电流厉重来自于开合转换时对后一级输入端的电容充放电,假如可以消重MCU的使命频率天然耗电也就下来了。方法会当AVR使命正在32.768Hz时和使命正在20Mhz时的使命电流差别可不是日常的幼。

  一目明晰睡眠形式和掉电形式可以大大的消重MCU的使命电流,机灵的单片机安排师可以满盈的欺骗MCU的中缀性能让MCU周期性的使命和睡眠从而大大的消重MCU的使命电流。

  例如ATmega8内部的模仿对照器,默认是开着的,又有ATmega88内部的大大都资源都可能正在无须的时刻用软件紧闭。云云可能大大的削减损耗。

  理由很粗略VMOS驱动属于电压型器件驱动,险些不出现功耗,要比凡是的晶体管省电多了。况且因为VMOS的导通内阻低往往惟有几十个毫欧,正在幼电流的时刻器件自己发烧也幼,特别是幼电流是成果远比守旧晶体管要高的多的多。这里仍然提议应用高速VMOS,由于高速VMOS正在开合速率相当高的PWM时成果会更高。

  例如说咱们常用的24C02,因为它是掉电回想的,因而咱们所有可能正在它不使命的时刻紧闭其电源,以俭省电流。又有例如说咱们常用的6116的SRAM咱们所有可能用单片机来担任它的片选端口来担任它的使命与息眠从而俭省电流。

  往往咱们驱动少许LED器件,所有可能通过PWM来担任从而省略限流电阻。方法会当器件选定后它的内阻也就一经确定,而当电源电压也确定的时刻,就可能通过占空比来确定器件上的电压,从而俭省了限流电阻同时也就俭省了限流电阻上面的功耗。假如用户应用的是电池,咱们所有还可能不按期的对电池电压举行检测然后转换占空比,从而恒定负载上面的电压,抵达电源的最大欺骗率。

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